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终端决定商用速度：TD

在近几年的北京国多层陶瓷际信息通信展中，LTE是当之无愧的主角。尤其是TD-LTE，作为我国自主知识产权的下一代通信技术，备受业界关注。

2010年的展会上，各参展商重点对TD-LTE的 快 进行了现场演示。其中，多路高清视频传输展现了TD-LTE超快的传输速度，互动游戏展示了TD-L转椅TE的低时延、反应快。2011年展会召开恰逢TD-LTE规模试验第一阶段结束，各参展商重点展示了规模试验中取得的一项项成果，展现了TD-LTE产业链的发展之快。

进入2012年，在中国移动提出TD-LTE发展三年计划的激励下，TD-LTE发展速度进一步加快，TD-LTE已经关于实验机技术的发展方向进入发展的快车道。

最明显的用户体验是 快

相比3G，LTE最明显的特征是 快 。这种快得益于频谱效率的提高，表现为更高的上下行速率。在单载波的情况下，如果使用20MHz+20MHz的带宽，FDD LTE下行峰值速率可以达到150Mbps。而TD-LTE在使用20MHz(3：1时隙配比)的情况下，下行峰值速率能够达到110Mbps。如果引入载波聚合，TD-LTE聚合20MHz+20MHz的情况下，下行峰值速率可以达到220Mbps。不论是110Mbps还是220Mbps，TD-LTE的峰值速率都远远超过了目前国内最快HSPA+的21.6Mbps。

事实上，曾多次体验TD-LTE的高速，由于具体环境和络配置存在差异，TD-LTE的平均下行速率在50Mbps至80Mbps之间。相比3G，TD-LTE在用户体验方面的提高给人留下了深刻的印象，其最突出的特点就是 快 。下载一部高清电影只需要几分钟，下载链板一首歌曲只需要几秒钟，观看高清视频丝毫不需要缓冲。

产业链驶入快车道

TD-LTE虽然速度很快，但在国际上却面临同样很食玩快的FDD LTE的强力竞争。目前，全球已经有49个国家的100家运营商推出了商用LTE服务，而部署TD-LTE络的运营商仅为11家。要想赶上发展的时间窗影响了材料的拉伸性能口，TD-LTE必须加快发展步伐。

纵观TD-LTE一年来的发展历程，与TD-SCDMA当年的发展速度相比，已经快了很多。2012年年初，中国移动高调宣布了TD-LTE三年部署计划：到2014年，全球建成超过50万个TD-LTE基站，截至2012年底，将在国内建设超过2万个TD-LTE基站。这无疑为产业链吃下了定心丸。

2012年5月，大部分设备厂商都已经完成了规模试验第二阶段的测试，达到了预期的测试目标。随即中国移动在全国开启了多张TD-LTE体验，高清视频会议、即摄即传等富媒体应用被集中展示。7月，中国移动香港有限公司宣布将在香港建设FDD LTE及TD-LTE无缝双制式融合络。目前，扩大规模试验络招标项目已经启动，规模试验城市增加到13个。

一年来，TD-LTE经历了大跨步的发展。关于下一步的扩大规模试验，工业和信息化部电信研究院王志勤表示，第一，要实现TD-LTE扩大规模试验络与TD-SCDMA现的功能业务、多模终端、互操作和KPI等，推进产品成熟;第二，与现有核心、管、计费等系统的融合测试，面向友好用户的络质量和业务质量测试，提升用户体验;第三，对络建设、规划优化、业务开发和运营维护中的关键问题，开展相关研究验证，为商用积累经验;第四，实现祖冲之算法完整性保护、增强型智能天线自适应、LTE支持IPv6、等级4终端、新型天线等验证应用。

终端决定商用速度

如果说TD-LTE正在冲刺商用，那么决定TD-LTE能否达到商用要求的那个关键因素是终端。目前TD-LTE终端主要以数据卡、MiFi、CPE等为主，缺乏商用的。而这主要受制于终端芯片的发展。目前，40纳米芯片工艺的处理能力能够支持TD-LTE数据卡终端的使用，但用于终端时功耗仍然偏大。在实验室中，采用40纳米工艺的LTE终端芯片的耗电量约为目前3G商用终端的2倍。

因此，发展28纳米工艺的TD-LTE芯片成为目前亟待解决的问题。根据初步数据，28纳米芯片能够节省20%的耗电，而且仍具有优化空间。但目前28纳米芯片因其成本高昂，还不具作为国内著名的检测仪器与检测服务供应商济南思达测试技术有限公司备大规模量产的能力。尤其是国内芯片制造企业在设计、研发、制造等方面与国际领先企业仍有一定的差距，迫切需要攻克28纳米芯片工艺的技术难点。业内专家预计，2013年的Q3/Q4有望实现包括TD-SCDMA/TD-LTE在内的28纳米多模工程样片多厂商供货，2014年中争取实现TD-LTE的28纳米多模芯片的基本商用化和多厂商供货。